Основная проблема не
цех фабрику построить по их производству, хотя это тоже крайне дорого(с учетом маленьких объемов) и крайне сложно.
А получить Степпер(литографического оборудования для микроэлектронной промышленности), только одна компания AMSL их по сути выпускает, ну еще Япония немного и все.
Полный цикл выпуска процессоров, настолько сложный и дорогой, что не одна стран в мире, себе позволить не может.
К 2026 году у российской радиоэлектронной промышленности может появиться собственная установка для печати чипов на кремниевые пластины по топологии 130–65 нм.Конкурс на разработку решения стоимостью 5,7 млрд руб. провел Минпромторг
Кто-то назовет это смешным, но на самом деле, это очень большой шаг для нашей страны. Уверен, что все получится.
Огромная масса устройств интернета вещей, автомобильной электроники и т.п. выпускаются не по топовым технологическим нормам, и для производства чипов этого немаленького сегмента вполне достаточно топологий 350 и 130 нм. Поскольку такие чипы должны выпускаться огромными тиражами, то без фотошаблонов тут просто не обойтись.
Шаг за шагом двигаются вперед...вот что нашел.
Установки травления и осаждения
ОКР «Разработка и изготовление промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического травления (ПХТ) кластерного типа с технологическими модулями: - модуль травления металлов; - модуль ICP RIE анизотропного высокоселективного травления кремния и поликремния; - модуль удаления фоторезистивных и полимерных слоев; - модуль травления высокоаспектных диэлектрических структур и роботизированной системой транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров», шифр «Кластер ПХТ 65»
ОКР «Разработка и производство промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) на базе кластерной системы с технологическими модулями: - модуль PECVD осаждения нитрида кремния; - модуль PECVD осаждения оксида кремния (SiH4/N2O); - модуль PECVD осаждения оксида кремния (TEOS); - модуль субатмосферного осаждения оксида кремния из TEOS/03 и роботизированной системы транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров», шифр «Кластер ПХО 65».
Фотошаблоны
ОКР «Разработка и освоение в производстве генератора изображений и технологического процесса формирования топологических структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм», шифр «Прогресс-ГИФ»
ОКР «Разработка и освоение в производстве установки и технологического процесса контроля топологического рисунка ФШ с технологическими нормами уровня 90-65 нм на соответствие проектным данным», шифр «Прогресс-КТФ»
Безмасочная литография
НИР «Разработка установки безмасочной рентгеновской нанолитографии на основе МЭМС динамической маски для формирования наноструктур с размерами от 13 нм и ниже на базе синхротронного и/или плазменного источника», шифр «Рентген-Литограф» — об этом я уже писал в своей статье «Собирается ли Россия сама делать оборудование для производства чипов по нормам 28 нм и менее?».
Классическая литография
ОКР «Разработка, изготовление комплекта стендового оборудования, разработка и освоение в производстве установки и технологического процесса проекционного переноса изображений топологического рисунка ИС на пластину (Step&Repeat) в обеспечение производства ИС, ЭКБ с проектными нормами 350 нм», шифр «Прогресс ППИ». Рабочая длина волны 365 нм.
ОКР «Разработка и изготовление установки проекционного переноса изображений топологического рисунка ИС на пластину (Step&Repeat) и источников излучения с длиной волны 193 и 248 нм, постановка базовых технологических процессов проекционного переноса изображений на пластину (Step&Repeat) с размером минимального конструкционного элемента 130 нм», шифр «Прогресс ППИ 130»
Гетероструктуры
ОКР «Разработка установки МОС-гидридной эпитаксии (МОГФЭ) для получения гетероструктур на основе GaN для СВЧ-транзисторов и МИС, светодиодов и перспективных приборов радиофотоники с групповой обработкой подложек 5×Ø100 мм и 3×Ø150 мм», шифр «Поток»
ОКР «Разработка установки молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для выращивания соединений А3B5 на монокристаллических подложках диаметром до 150 мм для получения гетероструктур СВЧ-микроэлектроники, фотоприёмной техники и радиофотоники на основе InAlGaAs (в вариантном исполнении – n+GaN и тонких эпитаксиальных слоёв AlGaN)», шифр «Авангард»
Наличие всех вышеперечисленных лотов закрывает обеспокоенность скептиков о том, что помимо степперов необходим также и большой объём другого оборудования. Да, необходим. И да, его тоже разрабатывают.
Это сообщение отредактировал BigJew - 9.02.2022 - 16:57
yaplakal.com