Для увеличения мощности в среднем диапазоне инфракрасных длин волн Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе был разработан специальный полупроводниковый прибор – инфракрасный светодиод на основе тиристорной структуры.
Как правило, в основе светодиодов заложена диодная структура, т.е. структура с одним p-n-переходом. Наиболее распространенными материалами, которые применяются для изготовления таких светодиодов, являются арсениды галлия, алюминия и индия. Однако полупроводниковые приборы такого типа, излучающие в диапазоне 1,6-2,5 мкм имеют недостаточную мощность для применения в оптической спектроскопии. Увеличить ее практически в два раза можно путем применения тиристорной структуры. В общем случае, тиристором называется ключевой полупроводниковый элемент, имеющий три p-n-перехода.